
شبیه سازی مقاله The TAIPEI Rectifier A New Three-Phase Two-Switch ZVS PFC DCM Boost Rectifier
17 تیر 1397
شبیه سازی مقاله Investigation of Economic and Environmental-Driven Demand Response Measures Incorporating UC
19 تیر 1397شبیه سازی مقاله Soft switching bridgeless power factor correction with reduced conduction losses and no stresses
شبیه سازی مقاله
Soft switching bridgeless power factor correction with reduced conduction losses and no stresses
سال انتشار 2011
یک پروژه آموزشی کامل
شبیه سازی مقاله با Pspice
پروپوزال پروژه
گزارش پروژه در ورد 29 صفحه
مناسب برای ارائه به عنوان
پروژه درس الکترونیک قدرت
پروژه درس الکترونیک
۲۹۰,۲۵۰ تومان
پروپوزال پروژه:
به نام خدا
پروپوزال پروژهی درس الکترونیک قدرت(1)
مبدل اصلاح ضریب توان بدون پل بوست با قابلیت کلیدزنی نرم و کاهش تلفات کلید زنی
با توجه به افزایش نیاز به مبدلهای DC/DC، استفاده از یکسوکنندهها امری ضروری میباشد. مشکل مهم یکسوکننده های مرسوم پل دیودی(تک فاز) داشتن پیک زیاد جریان در ورودی و هارمونیکهای زیاد است که ضریب توان را کاهش میدهد. برای محدود کردن هارمونیکهای جریان و بهبود کیفیت سیستم قدرت، یکسوکنندههای اصلاح ضریب توان(PFC) ارتقا یافته، مورد استفاده قرار گرفتهاند.در این تحقیق یک مبدل بدون پل اصلاح ضریب توان[1] با قابلیت کلید زنی نرم و کنترل به روش PWM معرفی شده است.در این مبدل یک مدار کمکی قابلیت کلیدزنی نرم را برای تمامی عناصر نیمه هادی فراهم آورده است بدون آنکه اضافه جریان یا ولتاژ روی کلیدها اعمال شود. برای کاهش تلفات ایدههایی در توپولوژی و کنترل یکسوکننده ارائه شده است .در تمامی حالتهای عملکردی این مبدل مسیر توان حداکثر با دو عنصر نیمه هادی پوشش داده میشود.بنابراین تلفات توان در سوئیچها کاهش یافته و بهرهی انرژی بالا میرود. درشکل(1) یکسوکنندهی بدون پل Boost پیشنهادی مشخص شده است.
Bridgeless Power Factor Correction Rectifier (BPFCR)- 1
مقدمه
مقدمه
با توجه به افزایش نیاز به مبدلهای DC/DC، استفاده از یکسوکنندهها امری ضروری می باشد. مشکل مهم یکسوکنندهی مرسوم پل دیودی(تک فاز) داشتن اوج زیاد جریان ورودی و هارمونیک های زیاد (THD بالا) است که ضریب توان را تا 5/0 الی6/0 کاهش می دهد. طبق استانداردهای موجود مانند IEC 61000-3-2 نیاز است که هارمونیکهای ایجاد شده توسط یکسوکننده کاهش اساسی یابد. برای محدود کردن هارمونیکهای جریان و بهبود کیفیت سیستم قدرت، یکسوکنندههای اصلاح ضریب توان(PFC) ارتقا یافته و مورد استفاده قرار گرفته اند . در مقایسه با یکسوکنندههای اصلاح ضریب توان پسیو، یکسوکنندههای PFC اکتیو دارای ضریبتوان بالاتر و سایز ساختار کوچکتری هستند، بنابراین یکسوکنندههای PFC اکتیو امروزه مورد استقبال بیشتری قرارگرفتهاند[1]. در شکل 1 یکسوکنندهی پل Boost نشان داده شده است.
به دلیل وجود پل ورودی در یکسوکننده های PFC مرسوم، در هر دورهی کلیدزنی، سه المان نیمه هادی (دو دیود پل و کلید یا دیود مبدل) در مسیر توان قرارگرفته است بنابراین بازده کلی مبدل محدود می شود. برای کاهش تلفات پل ورودی، ایدههایی در ساختار و کنترل یکسوکننده ارائه شده است. این ساختارها، یکسوکنندههای بدون پل اصلاح ضریب توان[1] نامیده میشوند که امروزه بیشترین کاربرد را دارند[2] .درشکل 2 یکسوکنندهی بدون پل Boost و در شکل 3 یکسوکنندهی بدون پل Sepic نشان داده شده است[3]. همانطور که مشاهده می شود در هر وضعیتی از عملکرد مبدل، تنها دو المان نیمه رسانا در مسیر توان وجود دارد.
یکسوکنندههای بدون پل اصلاح ضریب توان، همانند دیگر انواع مبدلهای PWM، دارای شکل موج مربعی برای جریان و ولتاژ کلید است که بههنگام کلیدزنی، علاوه بر ایجاد نویز EMI[2]، به دلیل همپوشانی ولتاژو جریان کلید تلفات کلیدزنی ایجاد میکند که علاوه بر کاهش بازده مبدل، فرکانس کلیدزنی مبدل نیز محدود می شود(بالا بودن فرکانس کلیدزنی به کاهش حجم و هزینهی مبدل منجر می شود).
به منظور رفع مشکلات ذکر شده، ساختارهای کلیدزنی نرم ارئه شده است که با به صفر رساندن ولتاژ یا جریان کلید بههنگام کلیدزنی، تلفات کلیدزنی کاهش یافته ، همچنین نویز EMI کم میشود[4] .
اما ساختار کمکی اضافه شده به یکسوکنندهی بدون پل میتواند دارای نقصهای زیر باشد:
- با وجود اینکه کلیدزنی نرم را برای کلید اصلی فراهم میکند ولی خود کلیدکمکی دارای تلفات کلیدزنی است.
- با ایجاد کلیدزنی نرم برای کلید اصلی و کلید کمکی، با اضافه کردن دیود در مسیر انتقال توان، تلفات کلیدزنی را افزایش میدهد.
- با اضافهکردن جریان به کلید، علاوه بر افزایش استرس جریان آن، تلفات هدایتی را نیز افزایش میدهد.
- ساختار کمکی با داشتن تعداد المانهای زیاد قابلیت اطمینان مبدل را کاهش دهد.
در این تحقیق از میان تمام یکسوکنندههای موجود، یکسوکنندهی بدون پل Boost درحالت CCM به دلایل زیر انتخاب شده است:
- این مبدل با داشتن سلف در ورودی خود، دارای جریانی هموار است.
- به خاطر بدون پل بودن ساختار آن، تلفات هدایتی کمتر است.
- حالت CCM را برای دسترسی به توانهای بالا انتخاب کردهایم.
حال برای رفع مشکلات کلیدزنی سخت ، سعی ما بر آن است که با اعمال روشی برای رسیدن به کلیدزنی نرم(که در ادامه بیان می کنیم)، بازده یکسوکننده را افزایش دهیم و مشکلات موجود در بحث کلیدزنی را به کمینهی ممکن برسانیم.
در بخش اول کلیدزنی نرم و روشهای انجام شده برای آن به تفصیل بیان میشود. در بخش دوم مبدل پیشنهادی ارائه و بررسی میشود و نهایتاً در فصل سوم نتایج شبیهسازی و عملی مبدل عرضه میگردد.
Bridgeless Power Factor Correction Rectifier (BPFCR)–[1]
[2] – Electromagnetic Interference
نقد و بررسیها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.